组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

发布时间：2018-04-29 23:44

  本文选题：发光二极管 + 氮化镓　； 参考：《中南民族大学学报(自然科学版)》2017年01期

【摘要】：针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.
[Abstract]:In order to solve the problem that the efficiency attenuation effect in semiconductor light-emitting diodes (LEDs) seriously affects the luminescence performance of LED under high injection current, a transition layer structure is designed based on the traditional InGaN/GaN multi-quantum well LED. It is introduced to the interface of quantum barrier and electron barrier layer. The simulation results show that when the transition layer is introduced, the depth of the electron potential well and the height of the hole barrier at the interface between the quantum barrier and the electron barrier layer decrease, which is beneficial to the increase of carrier concentration in the active region and to the enhancement of the radiation recombination rate in the quantum well. The decay of luminous efficiency is improved significantly. The results are helpful to the structure design and device development of high power LED.
【作者单位】： 中南民族大学电子信息工程学院;中南民族大学实验教学与实验室管理中心;武汉光驰教育科技股份有限公司;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11504436) 湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364) 中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW15045,CZQ16003)
【分类号】：TN312.8

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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