高能劳厄单色器晶体压弯性能的研究

发布时间：2018-05-01 16:13

本文选题：劳厄单色器 + 压弯机构　；参考：《核技术》2017年01期

【摘要】：上海光源二期工程拟建的超硬多功能线站将采用一台弧矢聚焦高能劳厄单色器,晶体压弯机构是单色器的核心部件,晶体弧矢半径与子午半径的优化对单色器的光通量和分辨率有很大影响。本文利用有限元软件分析了影响劳厄晶体压弯性能的主要因素——斜切晶体的各向异性以及晶体的长宽比。通过分析,确定了硅晶体切割边为[011]方向和[0-11]方向,晶体的优化尺寸为90 mm×40 mm×1 mm。硅晶体表面的弧矢和子午面形误差(均方根)分别为3.02μrad和1.25μrad,满足设计要求。
[Abstract]:A sagittal focusing high energy Laue Monochromator will be used in the superhard multifunctional line station to be built in the second phase of Shanghai Light Source Project. The crystal bending mechanism is the core component of the Monochromator. The optimization of crystal radius and meridian radius has great influence on the luminous flux and resolution of Monochromator. In this paper, the anisotropy of oblique cut crystal and the aspect ratio of the crystal are analyzed by finite element software. The cutting edge of silicon crystal is determined to be [011] direction and [0-11] direction. The optimized size of the crystal is 90 mm 脳 40 mm 脳 1 mm. The surface errors of arc vector and meridional surface (RMS) of silicon crystal are 3.02 渭 rad and 1.25 渭 radrespectively, which meet the design requirements.
【作者单位】：中国科学院上海应用物理研究所;中国科学院大学;
【基金】：国家重大科学仪器设备开发专项(No.Y319071061) 中国科学院上海应用物理研究所青年学者发展协作组(No.Y329051061)资助~~
【分类号】：TN304.12

【参考文献】

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1 余盛辉;薛松;祝万钱;卢启鹏;彭中琦;;弧矢压弯晶面扭曲问题研究[J];核技术;2013年07期

【共引文献】

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1 张海云;祝万钱;秦宏亮;薛松;;高能劳厄单色器晶体压弯性能的研究[J];核技术;2017年01期

【二级参考文献】

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1 汤琦,马健康,周泗忠,傅■;弧矢(Sagittal)聚焦双晶单色器设计[J];光学精密工程;2002年04期

【相似文献】

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1 徐章程,郭常霖,赵宗彦,深町共荣,根岸利一郎,吉泽正美,中岛哲夫;吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出[J];物理学报;1998年02期