单晶硅快速磷扩散研究

发布时间：2018-05-05 19:49

  本文选题：半导体材料 + p-n结　； 参考：《功能材料》2017年02期

【摘要】：采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。
[Abstract]:The traditional method is used to spread phosphorus into crystal silicon, which not only takes a long time, but also consumes more energy. The rapid heat treatment (RTP) method can meet the requirements of phosphorus diffusion depth and concentration in tens of seconds, and has a broad prospect. Phosphorus paper was used as a diffusion source and p-type single crystal silicon wafer was diffused by rapid heat treatment. The diffusion depth of p-n junction was investigated by grinding angle staining method. The most ideal diffusion temperature and time of p-n junction were obtained. By calculating the diffusion coefficient and diffusion activation energy of phosphorus in silicon under the condition of rapid heat treatment, the reasons different from the traditional diffusion methods were analyzed.
【作者单位】： 华北电力大学可再生能源学院;北京科技大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61006050,61076051) 北京市自然科学基金资助项目(2151004) 中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(13ZD05) 中央高校基本科研专项资金资助项目(2016MS50)
【分类号】：TN304.12

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本文编号：1849061