纳米球制备Spindt阴极及其场致发射特性仿真

发布时间：2018-05-07 23:19

  本文选题：场致发射 + Spindt阴极　； 参考：《兰州大学学报(自然科学版)》2017年05期

【摘要】：结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt场致发射阵列阴极的新方法,并成功制备了集成度较高且均匀分布的微孔阵列,微孔孔径为300~500 nm,绝缘层厚度为500 nm,孔间距为750 nm,微孔集成度达到10~8个/cm~2,是普通光刻技术的10倍以上.利用CST粒子工作室的质点网格求解器对该工艺方法制备的Spindt阴极的场致发射特性进行了数值仿真,结果表明发射尖端曲率半径、栅极孔径以及尖端相对栅极的高度是影响发射电流的决定因素.
[Abstract]:Combined with polystyrene nanospheres self-assembly technology and micromechanical fabrication technology, a new method for fabricating Spindt field emission array cathode was proposed, and a highly integrated and uniformly distributed microporous array was successfully fabricated. The pore diameter is 300 ~ 500 nm, the thickness of insulating layer is 500 nm, the hole spacing is 750 nm, the integration of micropore is 10 ~ 8 / cm ~ (-2), which is more than 10 times of that of ordinary lithography. The field emission characteristics of the Spindt cathode prepared by this process are numerically simulated by using the particle mesh solver of the CST particle studio. The results show that the radii of curvature of the emission tip are obtained. The aperture of the grid and the height of the tip relative to the grid are the determinants of the emission current.
【作者单位】： 兰州大学核科学与技术学院;中国工程物理研究院电子工程研究所;电子科技大学物理电子学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(11475075)
【分类号】：O632.13;TN104

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本文编号：1858912