CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展

发布时间：2018-05-09 04:32

  本文选题：CMOS图像传感器 + 总剂量效应　； 参考：《半导体光电》2017年01期

【摘要】：CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导。
[Abstract]:When the CMOS image sensor is used in space radiation or nuclear radiation environment, it will be affected by the total dose radiation damage, and even lead to the failure of the device function. In this paper, different CIS production processes from micron, ultra-deep submicron to nanometer scale, different CIS pixel structures from 3TPD photodiodes to 4TPPD(Pinned Photodiodes, and different CIS isolated oxidation layers from local oxide isolation technology to shallow trough isolation have been discussed. The research progress of total dose radiation effect of CIS is reviewed. In this paper, the research progress of CIS anti-radiation reinforcement technology is briefly introduced from the aspects of process structure, working mode and readout circuit reinforcement design of CIS devices. This paper analyzes and summarizes the key technical problems to be solved in the research of total dose radiation effect and reinforcement technology of CIS, and provides theoretical guidance for further research.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;湘潭大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(11305126,11235008) 国家重点实验室基金项目(SKLIPR1211)
【分类号】：TN386

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本文编号：1864614