半导体器件生产中的静电保护工作分析
本文选题:半导体器件 + 静电保护 ; 参考:《科技风》2016年24期
【摘要】:现阶段,半导体在器件生产中,其技术水平在我国社会发展水平不断进步的影响下显著提高,器件在生产中产生静电现象是在所难免的,针对所产生的静电实施有效的保护措施具有重要的现实意义。本文在对静电产生原因及其危害进行分析的基础上,探究了半导体器件生产中静电保护的基本措施。
[Abstract]:At present, the technology level of semiconductor in the production of devices has been greatly improved under the influence of the continuous progress of the social development level in our country. It is inevitable that electrostatic phenomena will occur in the production of semiconductor devices. It is of great practical significance to implement effective protection measures against the static electricity. Based on the analysis of the cause and harm of static electricity, this paper probes into the basic measures of electrostatic protection in the production of semiconductor devices.
【作者单位】: 四川省绵阳市绵阳中学实验学校;
【分类号】:TN305
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 ;计算机及外设[J];今日电子;2000年02期
2 王展;;元器件开短路测试应用[J];电子质量;2014年07期
3 黄勇;陈正清;朱兴华;苏新虹;姚峰;邝国峰;;嵌入静电保护电路板制造技术[J];印制电路信息;2012年04期
4 ;手机防静电保护——Littelfuse公司的解决方案[J];世界电子元器件;2001年05期
5 ;飞利浦推出高性能静电保护二极管[J];电源技术应用;2004年12期
6 Patrick Hibbs;;USB3.0端口静电保护的设计考虑[J];今日电子;2012年09期
7 曾莹,李瑞伟;低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用[J];微电子学;2002年06期
8 姜一波;曾传滨;罗家俊;韩郑生;;H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)[J];固体电子学研究与进展;2013年02期
9 何婉芬;带静电保护、限速率、低功耗的RS-485收发器[J];高等函授学报(自然科学版);1999年04期
10 王东平,邢海平;带静电保护的RS-485/RS-422接口芯片[J];电子技术;1996年05期
相关重要报纸文章 前1条
1 余涉;主板静电保护的方法及功效[N];厂长经理日报;2000年
相关硕士学位论文 前3条
1 谢姝;高压功率器件结构设计及其静电保护[D];复旦大学;2008年
2 徐代果;数模混合集成电路的防静电保护[D];电子科技大学;2009年
3 肖艳;TFT-LCD栅极驱动电源电路设计研究[D];电子科技大学;2007年
,本文编号:1882286
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1882286.html