不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

发布时间：2018-05-15 15:55

  本文选题：热载流子 + 不同栅压应力　； 参考：《电子学报》2016年02期

【摘要】：本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但在Vgs=90%*Vds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化却相同,这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.
[Abstract]:The hot carrier degradation mechanism of 1.8V p MOS devices under different gate voltages is studied in detail in this paper. The results show that with the increase of gate voltage stress, the electron injection mechanism is gradually transformed into a hole injection mechanism, which makes the degradation of the p MOS drain saturation current, the drain linear current Idlinand the threshold voltage increase gradually, but at Vgs=90%*Vds, the electron injection mechanism gradually transforms into the hole injection mechanism, which leads to the degradation of the p MOS drain saturation current, the drain linear current Idlinand the threshold voltage. Because no carriers are injected into the gate oxygen layer, the degradation trend turns. In addition, it is found that the effect of interface states in depletion region on hole mobility is less than that on hole mobility in non-depleted region, so that the forward Idsat degradation is less than the reverse Idsat degradation, however, the forward and backward Idlin degradation is the same. This is due to the fact that the entire channel region of the device is in a non-depleted state in the Idlin state.
【作者单位】： 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心;华润上华半导体有限公司;
【基金】：航空科学基金(No.20122469) 东南大学无锡分校科研引导资金
【分类号】：TN386

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本文编号：1892977