GaN基HEMT器件的缺陷研究综述

发布时间：2018-05-22 12:57

  本文选题：GaN + 高电子迁移率晶体管(HEMT)　； 参考：《发光学报》2017年06期

【摘要】：GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。
[Abstract]:GaN based high electron mobility transistor (HEMT) has a wide application prospect in high frequency, high power and other fields because of its high output power density, high working frequency, high working temperature and so on. At present, the HEMT device has made great progress in the material growth and process preparation. However, the trap effect caused by the defect has been limited. The important reasons for the development of HEMT are discussed. First, the surface state, the interface defect and the location of the body defect and the cause are discussed. Then, the phenomenon of the current collapse, gate delay, leakage delay and Kink effect caused by the trap effect is described. From the point of view of the structure design and process design of the device, a summary is made to improve the deficiency. The main measures to solve the related problems, including the latest research progress in 4 aspects: cover cap layer, surface treatment, passivation layer and field plate structure. Finally, the future optimization direction of GaN based HEMT devices on defect related problems is explored.
【作者单位】： 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033305)资助项目~~
【分类号】：TN386

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本文编号：1922165