热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究

发布时间：2018-05-24 04:54

  本文选题：热蒸发 + CdSe薄膜　； 参考：《材料导报》2017年S1期

【摘要】：采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。
[Abstract]:The effects of different annealing temperature and annealing time on the crystal structure and surface morphology of CdSe films were studied by vacuum thermal evaporation. The results of the effects of different annealing temperature and annealing time on the crystal structure and surface morphology of the CdSe show that the crystalline form of the CdSe film of 5h is not changed at 400~500 C, and the crystallinity increases with the increase of annealing temperature. The grain size from 32nm to 50nm.SEM shows that the surface particles of the CdSe thin films annealed at 450 C are evenly distributed and arranged regularly. The.AFM results without crack indicate that the CdSe film after annealing at 450 C has a good compactness and low surface roughness (5.19nm). Therefore, the heat treatment conditions of the CdSe thin film prepared by the true air heat evaporation are determined. It is: annealing temperature 450 C, annealing time 2h.
【作者单位】： 西华师范大学物理与空间科学学院;中国科学院国家天文台;
【基金】：四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133) 中国科学院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514)
【分类号】：TN304.05

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本文编号：1927755