一种硅基MEMS微波SIR交指带通滤波器

发布时间：2018-05-25 02:01

  本文选题：带通滤波器 + 交指滤波器　； 参考：《微电子学》2017年01期

【摘要】：基于7阶SIR交指结构滤波器,提出了一种基于硅MEMS技术的微波S波段交指带通滤波器。不仅保留了交指结构的高通带选择性,而且可以通过调整SIR的阻抗比和电长度比来实现宽阻带。采用MEMS工艺,在双层高电阻率的硅片上完成了滤波器的制作和自封装,它具有体积小、损耗低的优点。仿真结果表明,该滤波器在中心频率2.35GHz处的相对带宽为30%,带内插损小于1.5dB,回波损耗大于15dB,在频率f_0±0.8GHz处的阻带抑制比大于50dB。该交指带通滤波器的体积仅为(11×7×0.8)mm~3。
[Abstract]:Based on the 7-order SIR InterDigital filter, a microwave S-band cross-finger band-pass filter based on silicon MEMS technique is proposed. Not only the high pass band selectivity of the interDigital structure is retained, but also the wide stopband can be realized by adjusting the impedance ratio and the electric length ratio of the SIR. The filter is fabricated and self-encapsulated on a double-layer high resistivity silicon wafer by MEMS process. It has the advantages of small size and low loss. The simulation results show that the filter has a relative bandwidth of 30dB at the center frequency 2.35GHz, a band insertion loss of less than 1.5dB, an echo loss of more than 15dB, and a stopband suppression ratio of more than 50dB at the frequency f0 卤0.8GHz. The volume of the interDigital band-pass filter is only 11 脳 7 脳 0.8 mm / m ~ 3.
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;中国科学院微电子研究所智能感知研发中心;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274119)
【分类号】：TN713.5

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1931561