PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究

发布时间：2018-05-30 21:16

  本文选题：静态随机存储器 + 线性能量传输值　； 参考：《电子与信息学报》2017年11期

【摘要】：基于Synopsys公司3D TCAD器件模拟,该文通过改变3种工艺参数,研究65 nm体硅CMOS工艺下PMOS晶体管工艺参数变化对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)存储单元翻转恢复效应的影响。研究结果表明:降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度、N阱掺杂浓度或调阈掺杂浓度,有助于减小翻转恢复所需的线性能量传输值(Linear Energy Transfer,LET);通过降低PMOS晶体管的P+深阱掺杂浓度和N阱掺杂浓度,使翻转恢复时间变长。该文研究结论有助于优化SRAM存储单元抗单粒子效应(Single-Event Effect,SEE)设计,并且可以指导体硅CMOS工艺下抗辐射集成电路的研究。
[Abstract]:Based on the 3D TCAD device simulation of Synopsys Company, the effect of the process parameters of PMOS transistors on the flip recovery of static Random Access memory (SRAM) memory cells in 65nm bulk silicon CMOS process is studied by changing three kinds of process parameters. The results show that the P deep well doping concentration and N well doping concentration or threshold modulation doping concentration of PMOS transistors are reduced. It is helpful to reduce the linear energy transfer value of linear Energy transfer through decreasing the P deep well doping concentration and N well doping concentration of PMOS transistors, and to make the inversion recovery time longer by reducing the P deep well doping concentration and N well doping concentration of PMOS transistors. The conclusion of this paper is helpful to optimize the design of single-Event EffectSEE (single event effect) for SRAM memory cells, and can guide the research of anti-radiation integrated circuits in bulk silicon CMOS process.
【作者单位】： 安徽大学电子信息工程学院;工业和信息化部产业发展促进中心;
【基金】：国家自然科学基金(61674002,61474001,61574001)~~
【分类号】：TN32;TP333

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本文编号：1956844