氧化锌材料p型掺杂研究进展

发布时间：2018-06-02 10:17

  本文选题：ZnO + p型掺杂　； 参考：《西华师范大学学报(自然科学版)》2016年01期

【摘要】：氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量n型和p型ZnO以及同质p-n结的制备是实现器件化的关键。目前,n型ZnO的制备技术已趋于成熟,但高质量稳定的p型ZnO的缺乏已成为制约其器件化的瓶颈。在过去的十余年里,通过国内外科研工作者的不懈努力,在理论和实验上都取得了显著的成果。本文主要概述了ZnO材料的p型掺杂、p型导电机制以及p-ZnO基光电器件的研究进展,同时初步探索了ZnO材料p型导电稳定性问题。
[Abstract]:Zinc oxide (ZnO) is a direct band gap compound semiconductor material of II-VI group. The band gap width is 3.37e V at room temperature and the exciton binding energy is up to 60me V. it is an ideal material for making blue ultraviolet luminescence, detection and laser devices. The preparation of high quality n-type and p-type ZnO and homogenous p-n junction is the key to the realization of the device. At present, the preparation technology of n-type ZnO has become mature, but the lack of high quality and stable p-type ZnO has become the bottleneck of its devication. In the past ten years, through the unremitting efforts of researchers at home and abroad, remarkable achievements have been made in theory and experiment. In this paper, the p-doped p-type conductive mechanism of ZnO materials and the research progress of p-ZnO based optoelectronic devices are summarized. At the same time, the problem of p-type conductive stability of ZnO materials is preliminarily explored.
【作者单位】： 重庆师范大学物理与电子工程学院;重庆市光电功能材料重点实验室;重庆文理学院新材料技术研究院;
【基金】：国家自然科学基金项目(51472038,51502030)
【分类号】：TN304.2

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本文编号：1968395