IGBT寿命评估中解析预测模型综述

发布时间：2018-06-03 17:14

  本文选题：绝缘栅双极型晶体管 + 结温　； 参考：《微电子学》2017年03期

【摘要】：对近几年国内外的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可靠性研究中的寿命预测解析模型进行了分析。将其分为两类:基于结温的IGBT寿命预测模型和基于多变量的IGBT寿命预测模型,主要包括Conffin-Manson模型、Lesit模型、Norris-Landzberg模型和Bayerer模型。分析和讨论了这几种寿命预测模型,总结了相应模型的优缺点及构建方法,提出了其发展趋势和方向。
[Abstract]:The analytical model of life prediction in the reliability research of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in recent years is analyzed. It can be divided into two categories: IGBT lifetime prediction model based on junction temperature and IGBT lifetime prediction model based on multivariate, including Conffin-Manson model, Lesit model, Norris-Landzberg model and Bayerer model. This paper analyzes and discusses these life prediction models, summarizes the advantages and disadvantages of the corresponding models and their construction methods, and puts forward the development trend and direction of the models.
【作者单位】： 河北工业大学电气工程学院;
【基金】：国家科技支撑计划资助项目(2015BAA09B01) 国家自然科学基金资助项目(51377044) 河北省科技计划资助项目(14214503D,13214303D)
【分类号】：TN322.8

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1973565