大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备

发布时间：2018-06-05 00:47

本文选题：氮化铝 + 纳米柱　；参考：《半导体技术》2017年09期

【摘要】：采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。
[Abstract]:A high quality aluminum nitride (Al N) epitaxial layer with atomic level flat surface on sapphire substrate with 2 inches and 1 inch surface was prepared by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method with a heteroepitaxial thickness of 1 渭 m on the sapphire substrate. On the basis of the high quality Al N thin film, we have developed the process of combining dry etching and wet etching based on nano-imprint lithography technology. By top-down method, the regular array of Al N nanocolumns in a large area has been prepared. The height and diameter of the nanocolumn are 1 渭 m and 535 nm, respectively. The results show that High Crystalline quality Al N Materials and Wet etching process based on AZ400K solution is the key to fabricate Vertical Al N Nanocolumn arrays without corrosion Pit and smooth sidewall. The fabrication of AlN Nanocolumn arrays is a deep ultraviolet nanocolumn luminescent device. The research in this paper has laid the foundation.
【作者单位】：中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所;中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心;中国科学院大学;北京市第三代半导体材料及应用技术工程中心;半导体照明联合创新国家重点实验室;
【基金】：国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项(2016YFB04000803,2016YFB04000802) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032608) 国家自然科学基金资助项目(61376090,61376047,61527814,61674147,61204053) 北京市科委重大项目课题资助项目(D161100002516002)
【分类号】：TN305.7

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