GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用

发布时间：2018-06-08 03:05

本文选题：GaN基宽禁带半导体 + 外延生长　；参考：《物理学进展》2017年03期

【摘要】：GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一,在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述,并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展。
[Abstract]:GaN-based wide band gap semiconductor heterostructures have excellent physical properties such as very strong polarization effect, high saturated electron drift velocity, high breakdown field strength, higher Curie transition temperature at room temperature, and stronger spin-orbit coupling effect. It is an irreplaceable material system for the development of high power microwave RF devices. It is also one of the main material systems for the development of high efficiency and energy saving power electronic devices. It also has potential application value in semiconductor spin electronics devices. The research of physics and devices has become the frontier field and research hotspot of semiconductor science and technology in the world. In this paper, the recent research progress in GaN-based heterostructure in recent years is introduced and reviewed from the aspects of epitaxial growth, physical properties and electronic device applications. The research progress of Peking University in this field is briefly introduced.
【作者单位】：北京大学宽禁带半导体研究中心;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学信息与科学技术学院微纳电子学系;
【基金】：国家科技重点专项(2016YFB0400100、2016YFB0400200) 国家重点基础研究发展计划项目(2013CB921901、2013CB632804) 国家自然科学基金(11634002、61521004、61361166007、61376095、61522401、61574006、61204099) 北京市科技计划项目(Z151100003315002)对本文涉及工作的大力支持
【分类号】：TN304

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