基于0.15μm pHEMT的超宽带低噪声放大器

发布时间：2018-06-08 10:43

  本文选题：赝同晶高电子迁移率晶体管 + 低噪声放大器　； 参考：《微电子学》2017年04期

【摘要】：采用RC负反馈、源极电感负反馈等方法,设计并制作了一种基于MMIC技术的3～15 GHz超宽带低噪声放大器,在超宽带范围内实现了优良的回波损耗和平坦的高增益。采用0.15μm Ga As p HEMT工艺进行设计,该放大器的芯片尺寸为2 mm×1 mm,直流功耗为200 m W。在片测试结果表明,带内增益高达28 d B,4～12 GHz带宽范围内的噪声系数低于2 d B,输入/输出回波损耗大于15 d B,测试结果与仿真结果十分吻合。该低噪声放大器可应用于S,C,X,Ku波段外差接收机以及毫米波、亚毫米波接收机的中频模块。
[Abstract]:By using the methods of RC negative feedback and source inductor negative feedback, an ultra-wideband low noise amplifier (UWB) based on MMIC technology is designed and fabricated. The excellent echo loss and flat high gain are realized in the UWB range. A 0.15 渭 m GaAs pHEMT process is used to design the amplifier. The chip size of the amplifier is 2 mm 脳 1 mm and the DC power consumption is 200 MW. The results show that the in-band gain is up to 28 dB ~ 4GHz and the noise coefficient is less than 2 dB, and the input / output echo loss is greater than 15 dB. The measured results are in good agreement with the simulation results. The low noise amplifier can be applied to the heterodyne receiver and the intermediate frequency module of millimeter-wave and sub-millimeter-wave receiver.
【作者单位】： 南京邮电大学电子科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11403080)
【分类号】：TN722.3

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本文编号：1995523