强电磁脉冲上升时间对RS触发器损伤阈值仿真分析

发布时间：2018-06-08 23:05

本文选题：上升时间 + RS触发器　；参考：《强激光与粒子束》2017年08期

【摘要】：对RS触发器中金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的烧毁作用进行研究,通过仿真分析在不同入射端口、不同上升时间的条件下RS触发器的损伤阈值,结合其内部温度分布图完成失效机理分析,进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲,需要更高的峰值场强、更长的时间才能将RS触发器烧毁。
[Abstract]:The burning effect of metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) in RS trigger is studied. The damage threshold of RS flip-flop at different incidence ports and different rising time is simulated and analyzed, and the failure mechanism is analyzed with its internal temperature distribution diagram, and then the strong electromagnetic pulse with long rising time is obtained. The higher the peak field strength, the longer the time to burn the RS trigger.
【作者单位】：北京宇航系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院;
【基金】：国家科技重大专项(2012ZX03003002-004)
【分类号】：TN783

【参考文献】