自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究

发布时间：2018-06-09 22:18

  本文选题：体衬底氮化镓 + 肖特基二极管　； 参考：《固体电子学研究与进展》2017年03期

【摘要】：在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E~(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E~2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。
[Abstract]:A circular Ni / Au / n - GaN Schottky contact structure is prepared on the self - supporting substrate n - GaN epitaxial wafer . The current - voltage ( I - V ) characteristics of the device are measured and analyzed . The results show that under the forward bias , the ideal factor of the device is reduced from 1.8 to 1.2 , which indicates that the composite mechanism is gradually replaced by the heat emission mechanism under the reverse bias voltage . In the reverse bias , the current gradually becomes a weak function of temperature , and ln ( I / E ~ 2 ) -1 / E linear dependence , the behavior is consistent with Fowler - nordheim tunneling .
【作者单位】： 物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61504050) 江苏省自然科学基金资助项目(BK 20130156,BK20140168,BK20150158) 江苏省2015年度普通高校研究生科研创新计划项目(KYLX15_1195)
【分类号】：TN311.7
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本文编号：2001014