一款Ku波段GaAs PHEMT低噪声放大器

发布时间：2018-06-12 00:13

  本文选题：砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 + 介质空洞　； 参考：《微波学报》2017年04期

【摘要】：面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku波段低噪声放大电路,电路在Ku频段全频带(14~18 GHz)内实现了优良的性能,其噪声系数小于1.3 d B,增益大于17 d B。电路采用5 V电源供电,功耗为250 m W,芯片面积为2 mm×1.6 mm;这款性能优异的Ku频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。
[Abstract]:In order to meet the requirement of microwave millimeter wave low noise amplifying circuit for high performance low noise amplifier, the fabrication process of 0.15 渭 m gate length GaAs pHEMT low noise device is developed. The ohmic contact of composite cap layer with excellent ohmic characteristics is used in the fabrication process. The dielectric cavity gate structure with low parasitic capacitance and the double slot structure with high breakdown voltage. On this basis, a Ku band low noise amplifier circuit with excellent performance is implemented. The circuit achieves excellent performance in the full band of Ku band (14 ~ 18 GHz). The noise coefficient is less than 1.3 dB, and the gain is more than 17 dB. The circuit is powered by 5 V power supply, the power consumption is 250m W and the chip area is 2 mm 脳 1.6 mm. This Ku band low noise amplifier with excellent performance is especially suitable for satellite communication with high signal-to-noise ratio (SNR) requirements.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第五十五研究所;
【分类号】：TN722.3

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本文编号：2007314