Ku波段20W GaN功率MMIC
本文选题:AlGaN/GaN + GaN功率放大器 ; 参考:《固体电子学研究与进展》2017年02期
【摘要】:报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。
[Abstract]:A Ku band high efficiency gan power amplifier chip with three-stage amplifier structure is reported. In the design of the amplifier, the internal phase consistency of the power amplifier chip is improved by optimizing the circuit layout, and the synthesis efficiency of the final stage unit cell is improved. Finally, the power and efficiency of the whole amplifier are improved. After matching optimization, the output power of the amplifier is more than 20 W in the frequency band of 14.6g ~ 17.0GHz, the additional efficiency of the power is more than 36, and the maximum is 39. The power amplifier chip is fabricated by a 0.25 渭 m gan HEMT 101.6mm(4 inch) wafer process. The chip size is 2.3mm 脳 1.9 mm.
【作者单位】: 南京电子器件研究所;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
【分类号】:TN722.75
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本文编号:2034530
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