高功率、高效率808nm半导体激光器阵列

发布时间：2018-06-22 02:28

  本文选题：半导体激光器阵列 + 电光转换效率　； 参考：《物理学报》2016年16期

【摘要】：通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm~(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.
[Abstract]:By designing 808nm asymmetric wide waveguide epitaxial structure with high efficiency, the free carrier optical absorption of P-type waveguide layer and cladding layer is reduced, and the optical absorption loss in cavity is 0.63 cm ~ (-1). The 808 nm semiconductor laser array was fabricated at room temperature at 25 鈩，

本文编号：2051142