基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究

发布时间：2018-06-23 07:05

  本文选题：IGBT芯片性能退化 + 阈值电压　； 参考：《电工技术学报》2017年16期

【摘要】：提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。
[Abstract]:A method for monitoring the performance degradation of IGBT collector is presented. Based on the basic structure of IGBT, semiconductor physics and device reliability physics, the mechanism of leakage current generation, running rule and degradation mechanism of collector leakage current of IGBT are analyzed in detail. The variation of the stress level and the applied time with the performance degradation is found out. On this basis, a method for monitoring the health status of collector leakage current based on the performance degradation of IGBT chip is established by combining theoretical analysis with analytical description. Simulation and experimental results verify the correctness and accuracy of the method. This method has certain theoretical significance and application value to realize IGBT chip performance degradation process monitoring.
【作者单位】： 舰船综合电力技术国防科技重点实验室(海军工程大学);
【基金】：国家自然科学基金青年项目(51507185);国家自然科学基金重点项目(51490681) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004)资助
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2056290