SiC结势垒肖特基二极管及JMOS介绍

发布时间：2018-06-24 22:46

  本文选题：金属氧化物半导体场效应晶体管 + 结势垒　； 参考：《电力电子技术》2017年08期

【摘要】：介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积。当SiC MOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS还可以防止由于注入的少数载流子的复合而导致的位错缺陷转变为堆垛层错的潜在风险。进行特征比较,并构建一个测试平台,以验证SiC JMOS比传统SiC DMOS的效率和可靠性有所提高。实验结果表明,SiC JMOS能以更低的成本和更高的功率密度获得更好的系统性能和可靠性。
[Abstract]:This paper introduces the characteristics of the junction barrier controlled Schottky rectifier (JBS) and JBS integrated silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) (sic JMOS). When the parasitic diode in sic MOSFET is switched on, the integrated JBS can also prevent the potential risk that the dislocation defects caused by the recombination of injected minority carriers can be converted into stacking faults. To verify the efficiency and reliability of sic JMOS compared with traditional sic DMOS, a testing platform was constructed. The experimental results show that sic JMOS can achieve better system performance and reliability with lower cost and higher power density.
【作者单位】： 瀚薪科技股份有限公司;
【分类号】：TN311.7

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本文编号：2063317