基于SMIC-28 nm低功耗高精度带隙基准的研究

发布时间：2018-06-26 07:25

  本文选题：带隙基准 + 低功耗　； 参考：《微电子学与计算机》2017年09期

【摘要】：基于SMIC 28nm工艺实现了一种用于Flash的低功耗高精度的带隙基准电路,在传统电压模结构上采用共源共栅结构提高了各支路偏置电流的精度和PSRR,设计过程中仿真了器件所有corner,温度范围-40~125℃和电源电压±10%的情况.300次Monte Carlo仿真输出电压平均值为1.196 42V,方差为5.011mV,温度系数为7×10-6/℃,总电流仅为264nA,电源电压为1.8V时,最恶劣corner总电流为343nA,低频1kHz电源抑制比为-78dB.该电路中设计了一款新的启动电路,该电路由带负反馈的三支路偏置电路和施密特触发器组成,极大地提高了电路的稳定性,芯片版图面积为105μm×110μm.
[Abstract]:Based on SMIC 28nm process, a low power and high precision bandgap reference circuit for Flash is implemented. In the traditional voltage-mode structure, the accuracy of bias current and PSRRs of each branch are improved by using the common-grid structure. In the process of design, all corners, temperature range -400.125 鈩，

本文编号：2069649