双结光电二极管荧光检测单元暗电流优化设计

发布时间：2018-06-26 12:18

  本文选题：双结光电二极管 + 暗电流　； 参考：《半导体光电》2017年05期

【摘要】：双结p+/n-well/p-sub光电二极管由于其较高灵敏度、低暗电流而成为荧光检测光电传感单元的最佳选择。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结p+/n-well/p-sub光电二极管进行了版图优化设计,有效减少了硅和二氧化硅界面对光电二极管光吸收区暗电流的影响。流片后测试表明优化后版图面积为100μm×100μm,双结p+/n-well/p-sub光电二极管单元的暗电流从11pA减小到了6.5pA,光电流从2.15nA稍有减弱到2.05nA,光暗电流比值提高了60%。优化后的双结p+/n-well/p-sub光电二极管更适用于对微弱的荧光信号检测。
[Abstract]:Due to its high sensitivity and low dark current, the double junction p / n-well / p-sub photodiode is the best choice for fluorescence detection photoelectric sensor unit. Based on 0.5 渭 m CMOS process, the layout optimization design of double junction p / n-well / p-sub photodiodes is presented, which effectively reduces the influence of the interface between silicon and silicon dioxide on the dark current in the photoabsorption region of the photodiode. The experimental results show that the optimized layout area is 100 渭 m 脳 100 渭 m, the dark current of the double junction p / n-wellp-sub photodiode cell decreases from 11pA to 6.5 Pa, the photocurrent decreases slightly from 2.15nA to 2.05 na, and the ratio of light and dark current increases by 60%. The optimized double junction p / n-well-p-sub photodiode is more suitable for weak fluorescence detection.
【作者单位】： 浙江工业大学信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61306090) 浙江省自然科学基金项目(LY17F040004)
【分类号】：TN364.2

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本文编号：2070361