高压脉冲发生器中SiC MOSFET串联均压电路新方法
本文选题:高压脉冲发生器 + 均压电路 ; 参考:《电力电子技术》2017年02期
【摘要】:传统RCD动态均压电路是以牺牲MOSFET快速性为代价来换取动态电压均衡,无法满足某些快速性响应要求较高的场合。鉴于此,在传统RCD电路基础上,采用一种新型宽禁带半导体器件SiC MOSFET,提出一种改进的新型动态均压电路。创造性地提出双重均压反馈机制,一方面利用瞬态电压抑制二极管(TVS)箝位电路代替大电容恒压源,有效提高开关速度,抑制动态不均压;另一方面通过米勒效应抑制漏源极电压斜率的变化率,不仅能进一步改善均压效果,还可降低开关损耗,获得较为理想的高压脉冲。最后通过仿真和实验,验证了该电路不仅动态均压效果好,且开关速度可达纳秒级,在实际应用中具有相当可观的实用价值。
[Abstract]:The traditional RCD dynamic voltage equalization circuit can not meet the high requirement of fast response at the expense of MOSFET's speed in exchange for dynamic voltage equalization. In view of this, based on the traditional RCD circuit, a new type of wide band gap semiconductor device sic MOSFETs is adopted, and an improved dynamic voltage sharing circuit is proposed. On the one hand, the transient voltage suppression diode (TVs) clamping circuit is used to replace the large capacitance constant voltage source, which can effectively improve the switching speed and restrain the dynamic uneven voltage. On the other hand, the change rate of leakage source voltage slope can be suppressed by Hans Muller effect, which can not only improve the voltage sharing effect, but also reduce the switching loss and obtain the ideal high voltage pulse. Finally, through simulation and experiment, it is proved that the circuit not only has a good dynamic voltage sharing effect, but also has a switching speed of nanosecond, which has considerable practical value in practical application.
【作者单位】: 吉林大学仪器科学与电气工程学院;
【基金】:国家重大科学仪器设备开发专项项目(2011YQ050069)~~
【分类号】:TN386
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本文编号:2081439
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