原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺

发布时间：2018-07-05 07:12

  本文选题：原子层沉积(ALD) + ZnO薄膜　； 参考：《微纳电子技术》2016年09期

【摘要】：采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10~(-3)~10~3Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜。采用去离子水作氧源的T-ALD制备的ZnO薄膜载流子浓度高达10~(19)/cm~3量级,载流子迁移率较高,薄膜电阻率较低,适用于透明导电薄膜;采用氧等离子体作为氧源PEALD制备的薄膜载流子浓度达到10~(17)/cm~3量级,适用于薄膜晶体管。还讨论了不同生长工艺条件对薄膜晶型和表面形貌的影响。
[Abstract]:ZnO was prepared on sapphire substrate by thermal atomic layer deposition (T-ALD) and plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). ZnO thin films with resistivity varying in the range of 10 ~ (-3) ~ (-3) ~ (3) ~ (3) 惟 cm have been prepared. The carrier concentration of ZnO thin films prepared by T-ALD with deionized water as oxygen source is 10 ~ (19) / cm ~ (3), the carrier mobility is high and the resistivity of thin films is low, which is suitable for transparent conductive films. The carrier concentration of thin film prepared by oxygen plasma as oxygen source PEALD is 10 ~ (17) / cm ~ (-3), which is suitable for thin film transistors. The effects of different growth conditions on the crystal shape and surface morphology of the films were also discussed.
【作者单位】： 集成电路测试技术北京市重点实验室;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;
【基金】：国家重大科研仪器研制项目(61427901)
【分类号】：TN304.21

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本文编号：2099423