皮秒激光功率变化对激光诱导晶体硅变化的影响

发布时间：2018-07-16 11:07

【摘要】：为了深入了解皮秒激光烧蚀对晶体硅所造成的影响,使用不同平均功率下的皮秒脉冲激光辐照晶体硅,然后使用X射线光电子能谱仪和透射电子显微镜,分别对被烧蚀晶体硅的化学成分与微观组织结构进行观察与分析。研究发现:随着激光脉冲平均功率的增加,烧蚀产物中晶体硅的相对含量不断下降,而Si O2的相对含量则逐步上升;与此同时,材料的无定形化程度也随之加剧。最终认为:因激光脉冲平均功率增加而逐渐升高的激光能量密度是诱导上述实验结果出现的主要原因,并最终不断扩大并加剧着材料所受到热与机械损伤的范围与程度。
[Abstract]:The chemical composition and microstructure of ablated silicon were observed and analyzed.
【作者单位】：天津大学机械工程学院;机制设计理论与装备设计教育部重点实验室天津大学;西安交通大学机械工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51405333;51175372;51275337) 天津大学自主创新基金(1405) 天津市装备设计与制造技术重点实验室(天津大学)开放课题
【分类号】：TN249;TN304.12

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