碲镉汞材料双面平坦化工艺研究
[Abstract]:By making the 30mm 脳 25mm size HgCdTe materials and devices flat on both sides, the planeness of HgCdTe materials and devices can reach the requirement of less than 2 渭 m interconnect with Si readout circuit, and the finished product rate of MW1280 脳 1024 focal plane device is improved.
【作者单位】： 华北光电技术研究所;
【基金】：国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
【分类号】：TN21
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6 赵Z礞，
本文编号：2136284
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