HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法

发布时间：2018-07-25 18:30

【摘要】：报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.
[Abstract]:(LBIC) and I-V measurements of laser beam induced current at liquid nitrogen temperature are reported for the characterization of pn junction expansion in HgCdTe devices. By means of LBIC and I-V measurements, it was found that the damage caused by B ion implantation and dry etching in p-type HgCdTe materials made the effective junction area larger than the implanted and etched area, and the transverse expansion of n region was obtained. At the same time, the test results obtained by the two methods are consistent with each other through comparison.
【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所;上海科技大学;中国科学院大学;
【基金】：中国科学院国防科技创新基金项目(国防实验基金)~~
【分类号】：TN305

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本文编号：2144667