InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性

发布时间：2018-07-29 08:27

【摘要】：在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
[Abstract]:The dependence of the magnetoresistive effect on the thickness of InSb thin films (grown by MBE) has been studied in the temperature range of 12C 300K. It is found that thick InSb films can only produce a semiclassical magnetoresistive effect. However, when the thickness of thin InSb films is reduced, the weak anti-localization effect is more likely to occur in thin InSb thin films, resulting in an abnormal trend of decreasing mobility with the increase of temperature at low temperature (35K). It is found that the weak anti-localization effect can be fitted by the HLN model, and it is proved that it may originate from two-dimensional (2-D) systems, such as the interfacial states of InSb.
【作者单位】： 上海理工大学材料科学与工程学院;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(11204334,61475178)~~
【分类号】：TN304.23

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本文编号：2152088