一种电流舵结构大范围连续可变增益LNA

发布时间：2018-08-03 14:51

【摘要】：设计了一款应用于4G(TD-LTE)的可变增益低噪声放大器(VGLNA)。输入级采用共栅极跨导增强结构,实现了电路的输入阻抗匹配,并且加入共栅极噪声抵消电路,降低了电路的噪声系数;第2级采用改进型电流舵结构,实现了电路的增益大范围连续可变;输出级采用源跟随器,实现了良好的输出阻抗匹配。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦射频集成电路设计工具ADS2009进行仿真验证。结果表明:在1.88~2.65GHz频段内,该LNA在2.7~39.3dB增益范围内连续可变,且输入端口反射系数S_(11)小于-10dB,输出端口反射系数S_(22)小于-20dB,最小噪声系数NF为2.6dB,最大3阶交调点IIP3达到2.7dBm。
[Abstract]:A variable gain low noise amplifier (VGLNA).) for 4G (TD-LTE) is designed. The input stage adopts the common grid transconductance enhancement structure, realizes the input impedance matching of the circuit, and adds the common grid noise cancellation circuit to reduce the noise coefficient of the circuit. The gain of the circuit is continuously variable over a wide range, and the output stage uses a source follower to achieve a good output impedance matching. Based on the TSMC 0.18 渭 m CMOS process, the Agilent RF IC design tool ADS2009 is used for simulation verification. The results show that in the 1.88~2.65GHz band, the LNA is continuously variable in the 2.7~39.3dB gain range, and the reflection coefficient S11 of the input port is less than -10dB, the reflection coefficient S22 of the output port is less than -20dB, the minimum noise coefficient is 2.6 dB, and the maximum 3-order cross-modulation point IIP3 is 2.7 dBm.
【作者单位】： 北京工业大学电子信息与控制工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61574010,61006044,61006059) 北京市自然科学基金资助项目(4142007,4082007,4143059)
【分类号】：TN722.3

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本文编号：2162091