超高真空中锗衬底上铁锗化合物纳米结构的外延生长

发布时间：2018-08-11 12:21

【摘要】：采用分子束外延法在250~700℃的Ge(111)衬底表面生长出铁的锗化物纳米结构,原位扫描隧道显微镜观察表明,在300℃以下,Ge(111)衬底上生长的铁锗化合物以三维岛的形式存在,高于此温度,Ge(111)衬底上将生长出短棒和纳米线形状的铁锗化合物。当温度高于550℃时,Ge(111)衬底上只有纳米线生成,且纳米线沿着1-10三个等价方向生长,具有三重对称性。扫描隧道谱测量表明,三维岛具有金属特性而短棒和纳米线则呈现半导体性质。此外,X射线光电子能谱测试表明,相对于三维岛,纳米线的Fe2p3/2和Fe2p1/2峰向低结合能方向发生了移动,进一步证明了从三维岛到纳米线发生了相变。
[Abstract]:Fe germanide nanostructures were grown on the surface of GE (111) substrate at 250 ~ 700 鈩，

本文编号：2176978