氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响

发布时间：2018-08-12 14:52

【摘要】：本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.
[Abstract]:In this paper, amorphous indium tungsten oxide (a-IWO) thin films and their thin film transistors (TFTs),) have been prepared by RF magnetron sputtering. The effects of oxygen flow rate on the properties of a-IWO films and their TFTs have been investigated. It is found that with the increase of oxygen flow rate during deposition, the saturation mobility of a-IWOTFTs device decreases and the threshold voltage shifts forward, which indicates that the increase of oxygen flow rate during sputtering effectively inhibits the generation of oxygen vacancies in the a-IWO channel layer. The carrier concentration is reduced. When the oxygen / argon flow ratio is 2:28 during sputtering, the saturation mobility, threshold voltage and current-switching ratio of the fabricated TFT device are 27.6cm2 V-1 s-1, -0.5 V and 108, respectively.
【作者单位】： 复旦大学材料科学系TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室;台湾交通大学光电工程学系;
【基金】：国家自然科学基金(61136004,61471126)
【分类号】：TN321.5

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