喷墨印刷制备有机场效应晶体管的研究
[Abstract]:In recent years, low-cost electronic applications such as tag (RFID), flexible display have attracted more and more attention. Due to its advantages of flexibility, large area and low cost, printing electronic technology has become the most promising electronic product preparation technology. As a member of printing electronics, inkjet printing technology has been widely used in electronic device manufacturing technology. In recent years, the printing process of various electronic components has been realized through domestic and foreign research, especially in the field of airport effect transistors. Compared with the high requirement of inorganic silicon technology and the high complexity of manufacturing technology, inkjet printing has a great advantage. In this paper, the preparation and optimization of nano-silver electrode layer, polyhexylthiophene (P3HT) semiconductor layer and airfield effect transistor are studied and optimized by using Dimatix-3000 inkjet printing equipment. Firstly, the preparation of silver nanocrystalline electrode and P3HT semiconductor layer on the surface of silica was obtained by changing the spacing of different printing points. The film formation of nano-silver electrode and poly (hexylthiophene) (P3HT) semiconductor layer on silica, (PMMA) sheet, glass slide, (PET) sheet and copper phthalocyanine were studied. The nanocrystalline silver electrode layer without coffee-ring effect on silica surface was obtained by changing the printing conditions. In order to contribute to flexible and low-cost electronic applications, the preparation of nano-silver electrode layer and poly (3-hexylthiophene) semiconductor layer on nitrocellulose film was analyzed, and a nano-silver electrode with resistance of 158 惟 on porous paper was obtained. Secondly, by changing the number of printing layers of the semiconductor layer to produce the field effect transistor, it is found that the number of the ink-jet printing semiconductor layer has a great influence on the film formation of the poly (hexylthiophene) (P3HT) semiconductor layer in the channel of the device. Thus, the performance of the device is affected. Then, by using inkjet printing to prepare electrode layer and semiconductor layer, the performance of field effect transistor prepared by source and drain nanocrystalline silver electrode with or without coffee ring effect is compared. It is found that the interference of the source leakage electrode without coffee ring effect on the ordered arrangement of semiconductor layer in the channel of the device is less than that of the source leakage electrode with coffee ring effect, which improves the performance of the fabricated device, and the switching ratio is nearly two orders of magnitude difference. Finally, through the combination of inkjet printing technology and spin-coating method, the preparation of flexible airfield effect transistors with full solution preparation is completed. It provides a necessary reference for the application of flexible field effect transistors in biosensor and PH detection.
【学位授予单位】:南京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TN386
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,本文编号:2182607
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