成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究

发布时间：2018-08-25 18:16

【摘要】：本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体。解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面。然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3mm~3的CdSe中红外波片初胚。以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理。结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2~20μm波段透过率较高(达到70%),满足中红外波片的应用需求。
[Abstract]:In this paper, a high quality cadmium selenide (CdSe) single crystal with the size of 桅 30 脳 40 mm has been grown by the improved vertical seedless gas sublimation method. The cleavage crystal was obtained by X-ray diffractometer. After directional cutting, grinding and polishing, the initial embryo of CdSe mid-infrared wave plate with the size of 20 脳 20 脳 3mm~3 was obtained. Using the mixture of weak alkaline solution and corundum powder as polishing fluid, the surface polishing of infrared wave plate in CdSe was carried out by chemical and mechanical polishing method. The results show that the polishing process can effectively reduce the damage layer, scratches and structural defects on the surface of the wafer, and the roughness of the wafer surface is reduced, and the transmittance of the wafer is high (up to 70%) in the 2 ~ 20 渭 m band, which meets the needs of the application of the medium infrared wave plate.
【作者单位】： 西华师范大学物理与空间科学学院;中国科学院国家天文台;中国科学院太阳活动重点实验室(国家天文台);
【基金】：中科院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514) 国家自然科学基金项目(11273034,11673038) 国家重大科研仪器研制项目(部门推荐)(11427901)资助
【分类号】：TN304.25;TN21

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本文编号：2203703