GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析

发布时间：2018-09-06 15:07

【摘要】：基于X-射线透视仪进行无损伤检测发现发光二极管(LED)产品的封装会产生空洞的情况,特选取了GaN基通孔垂直结构的LED短路失效案例进行了失效性研究.利用光学显微镜、能谱仪和扫描电子显微镜对样品微观形貌进行表征,对失效样品进行金相切片处理,观察截面处形貌,最后根据分析结果得出样品的失效机理.分析结果表明:背金层空洞和固晶层空洞的存在加重了芯片通孔处应力不均,加快了GaN外延层的破裂的速度,致使LED失效.因此,在LED的封装过程中,也需要去避免空洞的产生,增加LED的可靠性.
[Abstract]:It is found that the packaging of light-emitting diode (LED) products will produce holes based on the non-damage detection of X-ray fluorometer. The failure characteristics of LED with vertical structure of GaN base hole are studied in this paper. The microstructure of the samples was characterized by optical microscope, energy spectrometer and scanning electron microscope. The failure samples were treated by metallographic sections and observed at the cross section. Finally, the failure mechanism of the samples was obtained according to the analysis results. The results show that the existence of the back gold layer cavity and the solid crystal layer cavity aggravate the uneven stress at the through hole of the chip, accelerate the rupture speed of the GaN epitaxial layer, and lead to the failure of LED. Therefore, in the process of LED encapsulation, it is necessary to avoid the void and increase the reliability of LED.
【作者单位】： 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室;广东金鉴检测科技有限公司;
【基金】：广东省应用型科技研发专项(批准号:2015B010134001) 广东省扬帆计划引进创新创业团队专项(批准号:2015YT02C093) 广州市产学研协同创新重大专项(批准号:201604010006)资助的课题~~
【分类号】：TN312.8

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本文编号：2226727