X波段接收机低噪声放大器设计

发布时间：2018-09-19 18:54

【摘要】：设计了一种采用Ga As p HEMT管芯的小型化宽带超低噪声放大器,利用ADS微波仿真软件进行原理图设计、优化。其中管芯采用单电源加电,避免了双电源输入端隔直电容对噪声的引入;另外,电路结构采用电阻负反馈拓展了带宽,同时也增加了电路的稳定性,实现较好的输入输出匹配特性。设计的低噪放在7GHz—10GHz频率范围内噪声系数小于0.7d B,增益大于30d B,输入输出回波损耗小于-10d B。低噪声放大器的尺寸仅为23mm×18mm×10mm。
[Abstract]:A miniaturized wideband ultra-low noise amplifier (ULNA) with Ga As p HEMT core is designed and optimized by ADS microwave simulation software. The tube core is powered up by a single power supply, which avoids the introduction of noise by the direct capacitance at the input end of the double power supply. In addition, the circuit structure uses resistive negative feedback to expand the bandwidth and at the same time increases the stability of the circuit. To achieve better input and output matching characteristics. The designed low noise is placed in the 7GHz-10GHz frequency range with the noise coefficient less than 0.7 dB, the gain greater than 30 dB, and the input and output echo loss less than -10 dB. The size of LNA is only 23mm 脳 18mm 脳 10mm.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司超导电子技术重点实验室;中国电子科技集团公司第十六研究所;
【分类号】：TN722.3

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本文编号：2251019