兆声化学机械复合抛光及其抛光均匀性的实现

发布时间：2018-10-05 07:42

【摘要】：在匹配层结构压电换能器的基础上,通过对兆声压电振子的振动模式进行控制,在横向尺度上实现了兆声抛光工具头振动振幅的均匀化,进而开展了有/无兆声作用下硅片的化学机械抛光实验.抛光后,无兆声作用硅片的表面粗糙度Ra均值达到0.072μm,兆声作用硅片的表面粗糙度Ra均值达到0.020μm.测量了被抛光硅片的平面度,相对于无兆声作用硅片的平面度的PV值28μm,兆声作用硅片PV值显著下降,为21μm.可见,相对于传统化学机械抛光,兆声化学机械复合抛光能够有效地改善原有抛光工艺,提高硅片抛光表面质量,实现其抛光均匀性.
[Abstract]:On the basis of matching layer structure piezoelectric transducer, by controlling the vibration mode of the megaphone piezoelectric vibrator, the vibration amplitude of the ultrasonic polishing tool head is homogenized on the transverse scale. The experiments of chemical mechanical polishing of silicon wafers with / without precursor sound were carried out. After polishing, the average surface roughness (Ra) of the wafer is 0.072 渭 m, and the Ra mean value of the surface roughness of the wafer is 0.020 渭 m. The planeness of the polished wafer was measured. The PV value of the wafer was 28 渭 m relative to the planeness of the wafer with no precursory action, and the PV value of the wafer subjected to the megoacoustic action was significantly decreased to 21 渭 m. It can be seen that compared with the traditional chemical mechanical polishing, the composite polishing process can effectively improve the original polishing process, improve the surface quality of silicon wafer polishing, and achieve the uniformity of polishing.
【作者单位】： 辽宁工业大学振动工程研究所;辽宁工业大学理学院;
【基金】：辽宁省科学技术计划资助项目(2015020159) 辽宁省教育厅高校基本科研业务费资助项目(JL201615408)
【分类号】：TN304.12

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本文编号：2252565