S吸附对SiC表面不同重构结构的影响

发布时间：2018-10-05 21:01

【摘要】：SiC表面重构的发生会引起表面态密度增加,极大地影响SiC功率器件的性能。本文对4H/6H-SiC(0001)-Si端的(3~(1/2)×3~(1/2))R30°和(3×3)重构结构及3C-SiC(0001)-Si端的(3×2)和(2×1)重构结构分别进行了S原子的吸附研究。结果表明:吸附S原子可以打开表面重构键,不同重构结构均有向体结构恢复的趋势。(3~(1/2)×3~(1/2))R30°和(3×3)重构的最佳吸附率分别是1/2ML和1/3ML,S吸附对(3~(1/2)×3~(1/2))R30°重构的作用更大。(3×2)重构表面在1/6ML下的H3位吸附、(2×1)重构表面在1/2ML下的B位吸附时吸附能最低。S钝化后,3C-SiC比4H/6H-SiC体系表面吸附能小,更稳定,重构结构恢复更理想。
[Abstract]:The occurrence of SiC surface reconstruction will increase the density of states on the surface and greatly affect the performance of SiC power devices. In this paper, the (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R30 掳and (3 脳 3) reconstructed structures of 4H/6H-SiC (0001) -Si and (3 脳 2) and (2 脳 1) reconstructed structures of 3C-SiC (0001) -Si are investigated by the adsorption of S atoms, respectively. The results show that the adsorbed S atom can open the surface reconstruction bond. The best adsorption rates of (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R ~ (30 掳) and (3 脳 3) R ~ (3) reconstruction are that the adsorption of (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R ~ (30) 掳) on (3 脳 2) reconstructed surface is stronger than that on (3 ~ (1) 脳 3 ~ (1) 脳 3 ~ (1) R _ (30) 掳. (3 脳 2) the reconstructed surface adsorbs at H _ 3 under 1/6ML, and (2 脳 1) at B site at 1/2ML. The adsorption energy of 3C-SiC on the surface of 4H/6H-SiC system is lower than that on the surface of 4H/6H-SiC system. More stable, the reconstruction structure restoration is more ideal.
【作者单位】： 西安理工大学电子工程系;
【基金】：国家自然科学基金(51207128,51677149) 特色研究项目(2016TS021)
【分类号】：TN304.24

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2254853