多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制

发布时间：2018-10-10 06:17

【摘要】：有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。
[Abstract]:Organic residues (mainly benzotriazole (BTA) and copper surface corrosion) are two important problems in wafer defects after chemical-mechanical polishing of (CMP) with multilayer copper wiring. A new alkaline cleaning agent is proposed for BTA removal and copper surface corrosion inhibition. The cleaning agent is mainly composed of FA/O chelator and FA/O surfactant. FA-p-O chelating agent plays a major role in removing BTA. FA-p-O surfactant can not only inhibit the corrosion but also promote the removal of BTA. By means of contact angle measurement, scanning electron microscope (SEM),) metallographic microscope, static corrosion rate (SER) and on-line test, the properties of the cleaning agent were studied. The results show that the cleaning agent can remove BTA effectively and has obvious effect on inhibiting copper surface corrosion. It effectively solves several technical problems in CMP cleaning of (GLSI) multilayer copper wiring.
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室;天津冶金职业技术学院;
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007) 国家自然科学基金资助项目(61504037) 河北省教育厅资助科研项目(QN2014208) 河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267) 河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
【分类号】：TN305.2

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本文编号：2260956