双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应

发布时间：2018-10-10 15:46

【摘要】：建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n~+-p-n-n~+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在系统电磁脉冲与剂量率综合效应作用下,双极晶体管内部,由于载流子数量剧增,其反向击穿阈值降低,综合效应比单一效应更易造成双极晶体管的毁伤。编制的系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算程序可用于分析电子学系统中其他类型半导体器件的效应机理与规律。
[Abstract]:A comprehensive model of electromagnetic pulse and dose rate for typical semiconductor device system is established. The integrated effect of electromagnetic pulse and dose rate on the load of typical np-n-n~ structure bipolar transistor at the end of cable under transient X-ray irradiation is studied. The phenomenon of comprehensive effect is obtained, the mechanism of comprehensive effect is analyzed, and the law of comprehensive effect is summarized. Under the combined effect of electromagnetic pulse and dose rate, the reverse breakdown threshold of bipolar transistor decreases because of the sharp increase in the number of carriers, and the synthesis effect is more likely to damage the bipolar transistor than the single effect. The program can be used to analyze the effect mechanism and law of other kinds of semiconductor devices in electronic system.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【基金】：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金项目(SKLIPR1403)
【分类号】：TN322.8

【参考文献】

相关期刊论文 前7条

1 赵墨;胡淑玲;申胜平;吴伟;程引会;李进玺;马良;郭景海;;双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应[J];强激光与粒子束;2014年07期

2 赵墨;程引会;吴伟;马良;李进玺;周辉;李宝忠;朱梦;;二极管负载电缆X射线辐照瞬态响应数值模拟[J];强激光与粒子束;2013年02期

3 李进玺;程引会;周辉;吴伟;;用传输线和时域有限差分法计算电缆X射线响应[J];强激光与粒子束;2007年12期

4 陈曦;杜正伟;龚克;;外电路在电磁脉冲对双极型晶体管作用过程中的影响[J];强激光与粒子束;2007年07期

5 李进玺;程引会;周辉;郭红霞;;屏蔽电缆对脉冲X射线响应的数值计算[J];强激光与粒子束;2006年06期

6 周怀安;杜正伟;龚克;;双极型晶体管损坏与强电磁脉冲注入位置的关系[J];强激光与粒子束;2006年04期

7 周怀安;杜正伟;龚克;;双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应[J];强激光与粒子束;2005年12期

【共引文献】

相关期刊论文 前10条

1 赵墨;吴伟;程引会;郭景海;李进玺;马良;刘逸飞;;双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应[J];强激光与粒子束;2017年02期

2 马良;周辉;郭景海;吴伟;程引会;李进玺;赵墨;刘逸飞;;电缆X射线辐射感应电导率引起的非线性效应[J];强激光与粒子束;2016年11期

3 闫涛;李平;;高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理[J];强激光与粒子束;2016年10期

4 李志鹏;李晶;孙静;刘阳;方进勇;;高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理[J];物理学报;2016年16期

5 席晓文;柴常春;赵刚;杨银堂;于新海;刘阳;;Damage effect and mechanism of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse[J];Chinese Physics B;2016年04期

6 黄志娟;刘美琴;贡顶;李勇;杨志强;;GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应[J];强激光与粒子束;2016年03期

7 赵墨;吴伟;李进玺;程引会;郭景海;刘逸飞;;基于Verilog-A模型的同轴电缆X射线响应电路仿真[J];强激光与粒子束;2015年10期

8 程晋利;刘远;刘健波;魏爱香;恩云飞;毛从光;;双极型电压比较器的强电磁脉冲效应[J];微电子学;2015年03期

9 刘起坤;周东方;邢锋;雷雪;余道杰;王宇;;三维感应场率有限长柱体阵列高功率微波辐照特性分析[J];强激光与粒子束;2015年05期

10 赵墨;胡淑玲;申胜平;程引会;吴伟;李进玺;马良;郭景海;;TLM-DDM耦合模型电磁脉冲环境适用性研究[J];核电子学与探测技术;2015年01期

【二级参考文献】

相关期刊论文 前10条

1 赵墨;程引会;吴伟;马良;李进玺;周辉;李宝忠;朱梦;;二极管负载电缆X射线辐照瞬态响应数值模拟[J];强激光与粒子束;2013年02期

2 李进玺;程引会;周辉;吴伟;;用传输线和时域有限差分法计算电缆X射线响应[J];强激光与粒子束;2007年12期

3 陈曦;杜正伟;龚克;;外电路在电磁脉冲对双极型晶体管作用过程中的影响[J];强激光与粒子束;2007年07期

4 陈曦;杜正伟;龚克;;基极注入强电磁脉冲对双极型晶体管的作用[J];强激光与粒子束;2007年03期

5 李进玺;程引会;周辉;郭红霞;;屏蔽电缆对脉冲X射线响应的数值计算[J];强激光与粒子束;2006年06期

6 周怀安;杜正伟;龚克;;双极型晶体管损坏与强电磁脉冲注入位置的关系[J];强激光与粒子束;2006年04期

7 周怀安;杜正伟;龚克;;双极型晶体管在强电磁脉冲作用下的瞬态响应[J];强激光与粒子束;2005年12期

8 周怀安,杜正伟,龚克;快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象[J];强激光与粒子束;2005年05期

9 程引会,周辉,乔登江,吴伟;带阻性负载细导线对电磁脉冲响应的有限差分算法[J];强激光与粒子束;2005年02期

10 陈海林,陈彬,李正东,易韵,陆峰;不同电磁脉冲作用下地面有限长电缆外导体感应电流的数值计算[J];强激光与粒子束;2004年10期

【相似文献】

相关期刊论文 前5条

1 W.Foster Rich ,Thomas A.Stringer ,彭贵新;系统电磁脉冲和航天器充电效应——适用于系统加固问题的技术评论[J];系统工程与电子技术;1982年02期

2 A.J.Woods ,W.E.Hobbs ,E.P.Wenaas ,纪群火;空气对圆柱体外部系统电磁脉冲响应的影响[J];系统工程与电子技术;1983年03期

3 彭贵新;试论用电激励技术模拟SGEMP[J];核电子学与探测技术;1985年05期

4 马继峰;王美娥;周春梅;林金永;;基于CST软件的控制系统电磁脉冲环境分析研究[J];航天控制;2013年01期

5 ;[J];;年期

相关会议论文 前6条

1 周光镒;姜幼明;;(X+γ)射线产生的系统电磁脉冲[A];中国工程物理研究院科技年报（2000）[C];2000年

2 李进玺;程引会;吴伟;周辉;;圆柱腔体内系统电磁脉冲计算软件[A];第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（下册）[C];2008年

3 李进玺;程引会;吴伟;周辉;;圆柱腔体内系统电磁脉冲计算软件[A];第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（2）[C];2008年

4 孙东阳;刘顺坤;林东生;;复杂系统电磁脉冲耦合效应的数值模拟[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年

5 周光镒;姜幼明;;X射线产生的系统电磁脉冲[A];中国工程物理研究院科技年报（1999）[C];1999年

6 周启明;邓建红;罗学金;曹文彬;;两类系统电磁脉冲的模拟信号源[A];中国工程物理研究院科技年报（2000）[C];2000年

，

本文编号：2262348