一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件

发布时间：2018-10-15 08:06

【摘要】：针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻。在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压。与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325V提高到403V,并且比导通电阻降低43%。
[Abstract]:Aiming at the contradiction between breakdown voltage and specific on-resistance of traditional high-voltage power devices, a novel high-voltage SOI LDMOS device with multi-electrode structure is proposed. A plurality of electrodes are introduced over the drift region. Each electrode is biased at a different potential. The electron current of the device is concentrated on the surface of the drift region during normal operation, which provides a low resistance conductive channel, thus reducing the specific on-resistance. A number of additional electric field peaks are introduced in the drift region to increase the breakdown voltage of the device. Compared with the conventional structure, the new structure can increase the breakdown voltage from 325 V to 403 V, and reduce the on-resistance by 43.
【作者单位】： 电子科技大学微电子与固体电子学院;四川长虹电器股份有限公司;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61376080)
【分类号】：TN386

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本文编号：2271896