环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型

发布时间：2018-10-16 12:40

【摘要】：肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.
[Abstract]:Schottky barrier metal-oxide semiconductor field effect transistors (Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET) generally need to calculate the current by the Fermi Dirac distribution of carriers or self-consistent iterative numerical calculations to reduce its complexity. In this paper, some fitting parameters are used to consider the effects of the lowering effect of mirror force barrier, the dipole barrier lowering effect and the quantization effect on Schottky barrier height under small size. A new analytical current model for ring gate Schottky barrier MOSFET is presented. The proposed current model is in good agreement with the experimental data reported in the literature, which verifies the correctness of the model and provides a certain reference value for the ring gate Schottky barrier MOSFET device and circuit design.
【作者单位】： 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室;北京精密机电控制设备研究所;
【分类号】：TN386

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本文编号：2274387