4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究

发布时间：2018-10-19 17:34

【摘要】：本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim(FN)隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射(PF)决定,并不受陷阱辅助隧穿trap assisted tunneling(TAT)的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响.
[Abstract]:In this paper, the conduction mechanism of gate leakage current of SiC MOS capacitor annealed by NO and non-NO annealing is analyzed. It is shown that the gate leakage current of samples annealed by NO and not annealed by NO in high field is determined by Fowler-Nordheim (FN) tunneling. The barrier height of the sample annealed by NO is 2.67 EV, while that of the sample without NO annealing is 2.54 EV. The increase of the barrier height indicates the effect of nitridation. In the middle electric field region, it is found that the gate leakage current in this region is mainly determined by Poole-Frenkel emission (PF), and is not affected by trap assisted tunneling (TAT). At the same time, the influence of NO annealing on the interface quality is also obvious.
【作者单位】： 西安电子科技大学微电子学院;
【基金】：国家自然科学基金青年基金资助项目(JJ0500142501);国家自然科学基金重点资助项目(JJ0200122502)
【分类号】：TN386

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本文编号：2281849