单层石墨烯场效应晶体管制备及低温导电特性

发布时间：2018-10-20 17:57

【摘要】：采用化学气相沉积法(CVD)制备单层石墨烯,将其转移到300nm厚的SiO_2/Si衬底上.通过真空蒸镀法在石墨烯表面沉积Au电极,获得SiO_2/Si背栅石墨烯场效应晶体管,对其进行低温导电特性的测试.结果表明,背栅石墨烯场效应晶体管呈双极导电性,并表现出P型导电特性.室温下器件的电子迁移率为3478cm~2/V.s,开关比(on/off)为1.88.在低温下器件的电子迁移率降至2913cm~2/V.s,开关比上升到2.53,狄拉克点左移,P型掺杂效应减弱,温度对器件起到调制作用.
[Abstract]:Graphene monolayer was prepared by chemical vapor deposition (CVD) and transferred to 300nm thick SiO_2/Si substrate. The Au electrode was deposited on the surface of graphene by vacuum evaporation. The SiO_2/Si back-gate graphene field effect transistor was obtained and its low temperature conductivity was measured. The results show that the back gate graphene field effect transistors exhibit bipolar conductivity and P-type conductivity. At room temperature, the electron mobility of the device is 3478 cm ~ (-1) V / s, and the switching ratio (on/off) is 1.88. At low temperature, the electron mobility of the device decreases to 2 913 cm ~ (-1) / V / s, the switching ratio rises to 2.53, the Dirac point shifts to the left, the P type doping effect is weakened, and the temperature plays a modulation role on the device.
【作者单位】： 哈尔滨理工大学应用科学学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(批准号:51672062)资助的课题
【分类号】：O613.71;TN386

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