具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管

发布时间：2018-10-21 16:07

【摘要】：基于碰撞离化理论研究设计了In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试。测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光电流增益达到140,证明具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管具有很好的光电探测性能。
[Abstract]:Based on the collision ionization theory, an avalanche photodiode with In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As electron multiplication superlattice structure is designed. The experimental film is obtained by MOCVD epitaxy, and the package is tested after the process flow sheet. The test results show that the dark current of APD devices with superlattice avalanche region can be controlled at Nano level. The photocurrent gain is up to 140, which proves that the electron-multiplicative avalanche photodiode with superlattice avalanche region has good photodetection performance.
【作者单位】： 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【基金】：光电子技术教育部重点实验室基金项目(PXM2017_014204_500034)
【分类号】：TN312.7

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本文编号：2285635