X波段六位移相器设计

发布时间：2018-11-08 09:30

【摘要】：采用SiGe BiCMOS工艺设计了一个X波段六位移相器。该移相器工作频率8~12GHz,移相范围为360°,步进5.625°。移相器采用高通/低通滤波器结构,通过六级移相单元以及多个单刀双掷开关级联实现。测试结果显示,芯片在1.2V的电源电压下,10GHz频率处插损约为15dB,在64种移相状态下,RMS相位误差1.6°,幅度偏差0.3dB,端口回波损耗小于-16dB。芯片不包含焊盘的尺寸约为2.65mm×0.81mm。
[Abstract]:An X-band six-bit phase shifter is designed by SiGe BiCMOS process. The working frequency of the phase shifter is 82GHz, the phase shift range is 360 掳and the step is 5.625 掳. The phase shifter adopts high pass / low pass filter structure and is realized by six phase shifting units and multiple single pole double throw switches. The test results show that the insertion loss at the 10GHz frequency is about 15 dB at 1.2V power supply voltage, and the RMS phase error is 1.6 掳, the amplitude deviation is 0.3 dB, and the port echo loss is less than -16 dB under 64 phase-shifting states. The size of the chip without pad is about 2.65mm 脳 0.81mm.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十四研究所;
【分类号】：TN623

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10 刘sチ，

本文编号：2318073