双DBR半导体激光器的设计研究
[Abstract]:Dual wavelength semiconductor lasers have many advantages, such as high efficiency, compact structure, easy to use, and have important applications in many fields. In this paper, the structure and parameters of dual-wavelength semiconductor lasers are studied systematically, and the simulation of double-wavelength semiconductor lasers with 1030nm and 1064nm output is carried out by using RSoft optical design software. The main work of this paper: 1. The structure of Y-shaped waveguide is simulated and analyzed, and the length and bifurcation angle of Y-shaped coupled waveguide are determined. When the input straight waveguide is 2000 渭 m, the input oblique waveguide is 1000 渭 m, the output straight waveguide is 6000 渭 m, and the bifurcation angle is 0.5 掳. The single mode laser emitted by double DBR ridge waveguide has the lowest transmission loss. 2. 2. Based on the theoretical analysis of the wide strip laser, the conical cavity structure is used to amplify the output power of the device and to guarantee the luminous beam quality of the device. The optimal cavity length (length of ridge and conical region) and conical angle are fitted by BeamProp: ridge waveguide 1500 渭 m, conical waveguide 2500 渭 m, conical angle 0.92 掳, input waveguide width 4 渭 m, output waveguide width 40 渭 m.3. The double DBR semiconductor laser is simulated and studied. The threshold current is 42 Ma at room temperature, the continuous output power is 7 MW at 70mA injection current, the spectral center wavelength is 1064.63 nm, and the spectral linewidth is only 0.12 nm.
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2017
【分类号】:TN248.4
【参考文献】
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,本文编号:2331580
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