粒子束注入单晶硅尺寸效应的机理研究

发布时间：2018-11-16 11:00

【摘要】：使用分子动力学方法研究硅粒子注入技术。系统比较分析了团簇粒子的包含反射,扩散和植入基底在内的全部运动过程,同时使用可视化方法观测记录基底表面形貌演化过程。所建立模型直观地显示了低注入能量域内的新特征。注入过程中,团簇粒子由不同粒径(数量)的硅原子组成。通过对粒径变化在注入过程的影响研究揭示了注入技术机理。仿真结果表明提出方法可用于定量预测注入粒子表面分布。本文工作可作为原子尺度下生成基底表面特征或设计图案的参考,并对可控表面沉积技术提供理论指导。
[Abstract]:Molecular dynamics method was used to study the silicon particle implantation technology. The whole motion process including reflection diffusion and implantation of the cluster particles is systematically analyzed and the evolution process of the surface morphology of the substrate is recorded by visualizing method. The established model visually shows the new features in the low injection energy domain. During the implantation process, the cluster particles are composed of silicon atoms with different particle sizes (quantities). The influence of particle size variation on the injection process was studied. The simulation results show that the proposed method can be used to quantitatively predict the surface distribution of injected particles. This work can be used as a reference for the generation of substrate surface characteristics or design patterns at atomic scale and provides theoretical guidance for controlled surface deposition techniques.
【作者单位】： 太原理工大学信息工程学院微纳系统研究中心新型传感器与智能控制系统重点实验室;太原理工大学表面工程研究所;太原理工大学物理与光电工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51622507,61471255,61474079,61403273,51502193,61307006)
【分类号】：TN304.12

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本文编号：2335332